深圳市冬紅科技有限公司
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產(chǎn)品型號HSR-2iX系列
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地深圳市
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更新時間：2024-11-16 01:58:46瀏覽次數(shù)：36次
聯(lián)系我時，請告知來自 包裝印刷網(wǎng)HSR2iX系列磁場消除系統(tǒng)由磁傳感器感知單元、磁場發(fā)生單元、磁場控制單元、顯控單元等構成。綜合了低噪聲磁敏感技術、消磁線圈優(yōu)化設計技術、磁場自動控制技術，實現(xiàn)了對寬頻帶雜散磁場的自動跟蹤補償，達到穩(wěn)定磁場的目的。根據(jù)具體用途，HSR2iX系列磁場消除系統(tǒng)具有三種不同型號：HSR-2i01、HSR-2i02和HSR-2i03。（特殊情況可定制）
1、系統(tǒng)組成
磁場消除系統(tǒng)主要由磁傳感器感知單元、磁場發(fā)生單元、磁場控制單元、顯控單元等構成等幾部分組成。
2、工作原理
通過三分量磁場傳感器實現(xiàn)雜散磁場的感知，并將感知到的信號送入智能磁場控制單元；智能磁場控制單元實時產(chǎn)生一個電流信號，該電流通過磁場產(chǎn)生單元產(chǎn)生與雜散磁場方向相反、大小相等的磁場，在工作區(qū)實現(xiàn)了磁場的疊加從而得到穩(wěn)定的磁場環(huán)境。
3、磁場產(chǎn)生單元
磁場產(chǎn)生單元實際上就是三軸磁場線圈，該線圈用以產(chǎn)生與雜散磁場方向相反、大小相等的磁場。
磁場產(chǎn)生單元結構根據(jù)場地的需要可以多樣化安裝，一般有兩種結構。種是采用獨立的磁場線圈框架套在電鏡外側；第二種是無需要線圈框架，直接將消磁電纜穿入無磁線槽后固定在實驗室內(nèi)墻表面或埋入墻體。由于磁場是矢量，通常需要在X、Y、Z三個方向產(chǎn)生穩(wěn)定的磁場。
4、磁傳感器感知單元
綜合考慮磁場抵消后磁場的噪聲、穩(wěn)定性和抵消磁場帶寬的要求，選擇合適的三分量磁通門傳感器實現(xiàn)磁場感知功能?！疽杂脩魧嶋H要求或者勘測場地后測試數(shù)據(jù)為準】
5、磁場控制單元(Magnetic Control UNIT)
磁場控制單元是磁場消除系統(tǒng)的核心，主要通過高精度傳感器感知的磁場信號，進而通過快速跟蹤算法實時消除磁場的擾動，保證工作空間磁場基本處于穩(wěn)定無波動狀態(tài)。
磁場控制單元采用220V交流供電，非常容易在實驗室內(nèi)應用。
6、顯控軟件
顯控軟件主要有三大功能。
(1) 數(shù)據(jù)實時顯示功能：實時顯示磁場的曲線數(shù)據(jù)，便于評估磁場環(huán)境的質(zhì)量。
(2) 超限報警功能：根據(jù)預設的磁場限制，進行報警。
★★★ 消除效果：
※衰減系數(shù)：α= 20×lg(B1/B2)
※頻率越低，消磁效果越好，本實驗選取了 50Hz 的干擾比較實驗效果。
※X軸方向對 50Hz 干擾消磁前后對比
消磁前：0.069V×1000×10=690nT
消磁后：0.00019V×1000×10=1.9n
型號 | HSR2iO1 | HSR2iO2 | HSR2iO3 |
用途 | 消除所有類型電子顯微鏡的交流磁場 | 消除所有類型電子顯微鏡的交流和直流磁場 | 消除半導體潔凈室中CDSEM工具的12kHz磁場。也可以消除這些工具的交流和直流磁場 |
消磁線圏 | 干擾磁場消除繞組系統(tǒng)自檢繞組 | 固有地磁場消除繞組 干擾磁場消除繞組 系統(tǒng)自檢繞組 | 固有地磁場消除繞組 干擾磁場消除繞組 系統(tǒng)自檢繞組 |
待消除磁場 | X,Y,Z磁場 | X,Y,Z 磁場 | X.YZ 磁場 |
磁場測量類型 | AC RMS and pk-pk | Real time field AC RMS and pk-pk DC incremental | Real time field AC RMS and pk-pk DC incremental |
測量精度 | ±0.5% Reading ± 100pT | ±0.5% Reading ± 1 nT | ±0.5% Reading ± 1 nT |
磁場動態(tài)范圍 | <60 mG （6.0µT） | <4.8 µT pk-pk | 5 μT pk-pk |
頻率帶寬 | 25 Hz 至 3kHz | DC 至 5 kHz | DC 至 12 kHz |
噪聲限值 | <0.7nT RMS(0.1 Hz ~ 3 kHz) | 1.5nTRMS(0.1Hz ~ 5 kHz) | 0.5 nT RMS(0.1 Hz - 12 kHz) |
直流漂移 | N/A | < 2 nT/ 24 hours | < 2 nT/ 24 hours |
直流磁場限值 | N/A | ± 200 μT max | ± 200 μT max |
系統(tǒng)響應時間 | 10 µs 內(nèi) | 10 µs 內(nèi) | 2µs 內(nèi) |
磁場穩(wěn)定性 | <2 nT/24 h@ (20°C?25°C,預熱0.5 h) | ||
衰減系數(shù) | >50 dB @0.1 Hz >30 dB @50 Hz | >60 dB @0.1 Hz >40 dB @50 Hz >20 dB @5 kHz | >60 dB @0.1 Hz >40 dB @50 Hz >20 dB @10 kHz |
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