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超高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 SU9000

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

專(zhuān)門(mén)為電子束敏感樣品和需300萬(wàn)倍穩(wěn)定觀察的半導(dǎo)體器件，高分辨成像所設(shè)計(jì)。特點(diǎn)新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計(jì)提高了低加速電壓性能。0.4 nm / 30 kV (SE) 1.2 nm / 1 kV (SE) …

詳細(xì)介紹

超高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 SU9000

專(zhuān)門(mén)為電子束敏感樣品和需300萬(wàn)倍穩(wěn)定觀察的半導(dǎo)體器件，高分辨成像所設(shè)計(jì)。

特點(diǎn)

新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計(jì)提高了低加速電壓性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
用改良的高真空性能和電子束穩(wěn)定性來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率截面觀察。
采用全新設(shè)計(jì)的Super E x B能量過(guò)濾技術(shù)，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號(hào)。

項(xiàng)目			技術(shù)指標(biāo)
二次電子分辨率			0.4nm （加速電壓30kV，放大倍率80萬(wàn)倍）
			1.2nm （加速電壓1kV，放大倍率25萬(wàn)倍）
STEM分辨率			0.34nm（加速電壓30kV，晶格象）
觀測(cè)倍率			底片輸出	顯示器輸出
LM模式			80~10,000x	220~25,000x
HM模式			800~3,000,000x	2,200~8,000,000x
樣品臺(tái)		側(cè)插式樣品桿
樣品移動(dòng)行程	X		±4.0mm
	Y		±2.0mm
	Z		±0.3mm
	T		±40度
標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái)			平面樣品臺(tái)：5.0mm×9.5mm×3.5mmH
			截面樣品臺(tái)：2.0mm×6.0mm×5.0mmH
專(zhuān)用樣品臺(tái)			截面樣品臺(tái)：2.0mm×12.0mm×6.0mmH
			雙傾截面樣品臺(tái)：0.8mm×8.5mm×3.5mmH
信號(hào)檢測(cè)器			二次電子探測(cè)器
			TOP 探測(cè)器（選配）
			BF/DF 雙STEM探測(cè)器（選配）